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Cu Intercalation and Br Doping to Thermoelectric SnSe2 Lead to Ultrahigh Electron Mobility and Temperature‐Independent Power Factor 热电SnSe2中Cu插层和Br掺杂导致超高的电子迁移率和与温度无关的功率因数
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Chongjian Zhou; Yuan Yu; Xiangzhao Zhang; Yudong Cheng; Jingtao Xu; et al 出版日期:2019-12-03 |
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