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 Comparison of 2-D MoS2 and Si Ferroelectric FET Nonvolatile Memories Considering the Trapped-Charge-Induced Variability 考虑俘获电荷诱导可变性的二维MoS2和Si铁电FET非易失性存储器的比较
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：You-Sheng Liu; Pin Su 出版日期：2022-03-28 |
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