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 Low coercive field in quasi-epitaxial Al-doped HfO2 films for energy-efficient ferroelectric memories 用于节能铁电存储器的准外延掺Al HfO2薄膜的低矫顽场
相关领域
铁电性
材料科学
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期刊：Journal of Materials Chemistry A 作者：In Pyo Hong; Rui He; Thi My Huyen Nguyen; Jae ho Park; Min Joon Kim; et al 出版日期：2025-01-01 |
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