铁电性
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作者
In Pyo Hong,Rui He,Thi My Huyen Nguyen,Jae ho Park,Min Joon Kim,Chung Wung Bark
摘要
Quasi-epitaxial Al-doped HfO₂ films by RF sputtering show a remarkably low coercive field (0.42 MV cm −1 at 20 nm), promising energy-efficient ferroelectric memories.
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