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 Characterization of GaN structures for power electronics by secondary ion mass spectrometry and atomic force microscope approach 二次离子质谱和原子力显微镜表征功率电子器件用GaN结构
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Tarek Spelta; M. Veillerot; E. Martínez; Nicolas Chevalier; D. Mariolle; et al 出版日期：2023-04-19 |
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