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 Phase transformation on HZO ferroelectric layer in ferroelectric random-access memory induced by x-ray irradiation x射线辐照引起铁电随机存储器中HZO铁电层的相变
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Chung‐Wei Wu; Po‐Hsun Chen; Ting‐Chang Chang; Yung‐Fang Tan; Shih‐Kai Lin; et al 出版日期：2023-11-30 |
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