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  Modelling and Evalaution of the Bidirectional Surge Current Robustness of Si(-IGBT and -Diode), SiC(-MOSFETs and -JFET) and GaN(-HEMTs) Devices Si（-IGBT和-二极管）、SiC（-MOSFET和-JFET）和GaN（-HEMT）器件双向浪涌电流鲁棒性的建模和评估
相关领域
JFET公司
材料科学
绝缘栅双极晶体管
稳健性（进化）
光电子学
二极管
碳化硅
宽禁带半导体
电子工程
氮化镓
电气工程
晶体管
场效应晶体管
工程类
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化学
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基因
生物化学
图层（电子）
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期刊：Energies 作者：Dominik Nehmer; Tim Ringelmann; Mark‐M. Bakran 出版日期：2024-08-31 |
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