Si (Mg) doping in β-Ga2O3 crystals by edge-defined film-fed growth: A comparative analysis of microstructure, bandgap, and temperature-dependent properties

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标题	Si (Mg) doping in β-Ga2O3 crystals by edge-defined film-fed growth: A comparative analysis of microstructure, bandgap, and temperature-dependent properties 相关领域光致发光发光兴奋剂材料科学带隙蓝移 Crystal（编程语言）结晶学矿物学衍射分析化学（期刊）光学晶体生长单晶发射强度
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2026.128487
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2026.128487 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Wei Hu; Guang Jun Wen; Rongcheng Yao; Shuixiu Lin; Lingyu Wan; et al 出版日期：2026-01-06
求助人	我是成坤在 2026-01-28 16:21:20 发布自上海，悬赏 10 积分
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