3D DRAM with stacked oxide-semiconductor channel transistors

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标题	3D DRAM with stacked oxide-semiconductor channel transistors 具有堆叠氧化物半导体沟道晶体管的3D DRAM 相关领域德拉姆晶体管频道（广播）材料科学动态随机存取存储器光电子学电气工程电子工程计算机科学场效应晶体管集成电路逻辑门电容
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-025-01521-z
DOI	10.1038/s41928-025-01521-z doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Taeyoung Song; Asif Islam Khan 出版日期：2025-12-05
求助人	陈陈在 2025-12-13 12:16:10 发布自浙江，悬赏 10 积分
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