Spin-on trilayer scheme: enabling materials for extension of ArF immersion lithography to 32nm node and beyond

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标题	Spin-on trilayer scheme: enabling materials for extension of ArF immersion lithography to 32nm node and beyond 旋涂三层方案：使材料能够将ArF浸没光刻扩展到32nm节点及以上相关领域浸没式光刻材料科学平版印刷术抵抗薄脆饼光刻胶沉浸式（数学）光刻光电子学硅多重图案极紫外光刻涂层纳米技术图层（电子）纯数学数学
网址	https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of...
DOI	10.1117/12.804748 doi
求助人	zhangxh 在 2025-12-23 15:54:23 发布自上海，悬赏 20 积分
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