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[高分]
 Analytical Modelling of Nanoscale MOSFET Characteristics and Their Impact on Low-Power Nanoelectronics Devices 纳米级MOSFET特性的解析建模及其对低功耗纳米电子器件的影响
相关领域
纳米电子学
纳米尺度
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电压
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期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：Ravi Prabhu; S. Selvarasu; Se‐Jung Lim 出版日期：2024-12-01 |
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