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 Etch Defect Reduction Using SF6/O2 Plasma Cleaning and Optimizing Etching Recipe in Photo Resist Masked Gate Poly Silicon Etch Process 利用SF6/O2等离子体清洗减少刻蚀缺陷并优化刻蚀配方在光刻胶掩蔽栅多晶硅刻蚀工艺中的应用
相关领域
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等离子体刻蚀
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Seong Yeol Mun; Kyeong Cheol Shin; Sung Soo Lee; Jong Seok Kwak; Jae Young Jeong; Yang Hee Jeong 出版日期：2005-09-15 |
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