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 Effects of Al2O3 Interfacial Layer Thickness for HZO/InGaAs Ferroelectric Capacitors With Superior Polarization and MOS Interface Properties Al2O3界面层厚度对HZO/InGaAs铁电电容器极化性能和MOS界面性能的影响
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kyul Ko; Donghwan Ahn; Hoyoung Suh; Byeong−Kwon Ju; Jae‐Hoon Han 出版日期：2023-12-01 |
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