Effects of Al2O3 Interfacial Layer Thickness for HZO/InGaAs Ferroelectric Capacitors With Superior Polarization and MOS Interface Properties - 科研通

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标题	Effects of Al2O3 Interfacial Layer Thickness for HZO/InGaAs Ferroelectric Capacitors With Superior Polarization and MOS Interface Properties Al2O3界面层厚度对HZO/InGaAs铁电电容器极化性能和MOS界面性能的影响相关领域铁电性材料科学电容器光电子学结晶原子层沉积电介质铁电电容器极化（电化学）半导体图层（电子）纳米技术电气工程电压化学有机化学物理化学工程类
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3326428
DOI	10.1109/ted.2023.3326428 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kyul Ko; Donghwan Ahn; Hoyoung Suh; Byeong−Kwon Ju; Jae‐Hoon Han 出版日期：2023-12-01
求助人	陈陈在 2025-03-08 14:50:40 发布自湖北，悬赏 10 积分
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