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  Operational Verification of Gate Drive Circuit With Condition Monitoring Function for Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs 具有对SiOMSFT栅氧化层退化状态监测功能的栅驱动电路的运行验证
相关领域
栅氧化层
MOSFET
门驱动器
材料科学
随时间变化的栅氧化层击穿
等效门电路
金属浇口
电气工程
晶体管
逻辑门
电子线路
光电子学
和大门
功率MOSFET
碳化硅
与非门
电子工程
电压
工程类
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期刊：IEEE Open Journal of Power Electronics 作者：S. Hayashi; Keiji Wãda 出版日期：2024-01-01 |
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