Atomic Layer Deposition of HfO2 Films Using Tetrakis(1-(N,N-dimethylamino)-2-propoxy)hafnium [Hf(dmap)4] for Advanced Gate Dielectrics Applications

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标题	Atomic Layer Deposition of HfO2 Films Using Tetrakis(1-(N,N-dimethylamino)-2-propoxy)hafnium [Hf(dmap)4] for Advanced Gate Dielectrics Applications
网址	https://doi.org/10.1021/acsanm.3c03319
DOI	10.1021/acsanm.3c03319 doi
其它	期刊：ACS applied nano materials 作者：Akihiro Nishida; Tsukasa Katayama; Yasutaka Matsuo 出版日期：2023-09-15
求助人	hualuo13 在 2026-10-20 15:27:35 发布自浙江，悬赏 10 积分
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