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A novel SiGe GAA transistor with trench removal and backside self-aligned contact for process variations suppression and circuit performance improvement
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网址
http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2026.107550
DOI
10.1016/j.mejo.2026.107550 doi
其它 期刊：Microelectronics Journal
作者：Jiawei Wang; Haoyan Liu; Longyu Sun; Shiqi Cao; Fei Zhao; et al
出版日期：2026-12-01
求助人
落寞晓兰 在 2026-11-07 23:38:54 发布自安徽，悬赏 10 积分
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