标题 |
Lattice dilation by free electrons in heavily doped GaAs:Si
重掺杂GaAs:Si中自由电子的晶格膨胀
相关领域
晶格常数
兴奋剂
分子束外延
凝聚态物理
自由电子模型
材料科学
硅
电子
衍射仪
带隙
外延
导带
格子(音乐)
结晶学
晶体结构
化学
物理
光学
纳米技术
光电子学
衍射
量子力学
图层(电子)
声学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Applied physics letters 作者:M. Leszczyński; J. Bąk‐Misiuk; J. Z. Domagała; J. Muszalski; M. Kaniewska; et al 出版日期:1995-07-24 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|