| 标题 |
 Effect of Device Dimensions, Layout and Pre-Gate Carbon Implant on Hot Carrier Induced Degradation in HKMG nMOS Transistors 相关领域
NMOS逻辑
CMOS芯片
材料科学
晶体管
降级（电信）
栅氧化层
光电子学
电气工程
工程类
电压
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Pardeep Duhan; V. Ramgopal Rao; Nihar R. Mohapatra 出版日期：2020-07-07 |
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