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  Combining x-ray real and reciprocal space mapping techniques to explore the epitaxial growth of semiconductors 结合x射线实空间和倒数空间映射技术探索半导体的外延生长
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：S. Magalhães; J S Cabaço; Omar Concepción; Dan Buca; M. Stachowicz; et al 出版日期：2023-03-20 |
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