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 Drain-bias dependence of low-frequency Y22 signals for Fe-related GaN traps in GaN HEMTs with different Fe doping concentrations 不同Fe掺杂浓度GaN HEMT中Fe相关GaN陷阱低频Y22信号的漏极偏压依赖性
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Taiki Nishida; Toshiyuki Oishi; Tomohiro Otsuka; Yutaro Yamaguchi; Masaomi Tsuru; et al 出版日期：2023-01-03 |
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