Enhancement of Performance in TFET by Reducing High-K Dielectric Length and Drain Electrode Thickness

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标题	Enhancement of Performance in TFET by Reducing High-K Dielectric Length and Drain Electrode Thickness 通过缩短高K介电长度和漏极厚度来提高T场效应晶体管的性能相关领域材料科学电极电介质隧道场效应晶体管电容光电子学晶体管离子排水诱导屏障降低场效应晶体管电气工程电压化学有机化学物理化学工程类
网址	https://doi.org/10.1007/s12633-019-00328-w
DOI	10.1007/s12633-019-00328-w doi
其它	期刊：Silicon 作者：C. Sheeja Herobin Rani; K. Bhoopathy Bagan; D. Nirmal; R. Solomon Roach 出版日期：2019-12-03
求助人	Camellia 在 2025-09-21 22:29:41 发布自陕西，悬赏 10 积分
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