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Demonstration of β -Ga2O3 vertical Schottky barrier diode with mesa termination assisted partially suspended field plate on MOCVD-grown epitaxial wafer 相关领域
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Xueli Han; Xiaorui Xu; Zhengbo Wang; Desen Chen; Yicong Deng; et al 出版日期:2025-09-02 |
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