Study and characterization of GaN MOS capacitors: Planar vs trench topographies

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标题	Study and characterization of GaN MOS capacitors: Planar vs trench topographies
网址	https://doi.org/10.1063/5.0087245
DOI	10.1063/5.0087245 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：K. Mukherjee; C. De Santi; S. You; K. Geens; M. Borga; et al 出版日期：2022
求助人	waitingfor 在 2026-06-13 23:34:49 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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