| 标题 |
 Revealing the effect of substitutional cation doping in the A-site of nanoscale APbI3 perovskite layers for enhanced retention and endurance in optoelectronic resistive switching for non-volatile bipolar memory devices 揭示纳米级APbI3钙钛矿层a位中取代阳离子掺杂对非易失性双极存储器件光电电阻开关中增强保持和耐久性的影响
相关领域
材料科学
兴奋剂
纳米尺度
钙钛矿（结构）
薄膜
光电子学
旋涂
纳米技术
化学工程
工程类
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| 其它 |
期刊：Nanoscale 作者：Twinkle George; A. Vadivel Murugan 出版日期：2023-01-01 |
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