Double-Oxidant-Induced Slurry Reaction Mechanism and Performance on Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer

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标题	Double-Oxidant-Induced Slurry Reaction Mechanism and Performance on Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer 4H-SiC（0001）晶片化学机械抛光中双氧化剂诱导浆料反应机理及性能相关领域化学机械平面化抛光泥浆薄脆饼化学反应反应机理化学工程材料科学化学机制（生物学）纳米技术复合材料有机化学催化作用物理工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.4c04158
DOI	10.1021/acs.langmuir.4c04158 doi
其它	期刊：Langmuir 作者：Xin Song; Boyu Hu; J. C. Guo; Renke Kang; Shang Gao 出版日期：2024-12-06
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