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 Si-doped HZO and ZrO2 for hysteresis free high-k dielectric 用于无磁滞高k电介质的Si掺杂HZO和ZrO2
相关领域
兴奋剂
材料科学
磁滞
电介质
凝聚态物理
光电子学
物理
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期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Harshil Kashyap; Ping‐Che Lee; Kisung Chae; M. Passlack; Ajay K. Yadav; et al 出版日期：2025-01-08 |
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(2025-6-4)
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