Trapping of photogenerated carriers by InAs quantum dots and persistent photoconductivity in novel GaAs/n-AlGaAs field-effect transistor structures

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标题	Trapping of photogenerated carriers by InAs quantum dots and persistent photoconductivity in novel GaAs/n-AlGaAs field-effect transistor structures
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/70/3/345/18524531/3...
DOI	10.1063/1.119068 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：G. Yusa; H. Sakaki 出版日期：2002-07-26
求助人	KANG 在 2026-05-08 18:54:30 发布自上海，悬赏 10 积分
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