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 A Compact 1.0–12.5-GHz LNA MMIC With 1.5-dB NF Based on Multiple Resistive Feedback in 0.15-μm GaAs pHEMT Technology 相关领域
单片微波集成电路
高电子迁移率晶体管
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宽带
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低噪声放大器
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CMOS芯片
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电压
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期刊：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 作者：Xu Yan; Jingyuan Zhang; Haorui Luo; Si-Ping Gao; Yongxin Guo 出版日期：2023 |
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