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Flexible, ultrafast and low-power artificial synapse device based on gold-doped ZnO–NiO/PVA nanocomposites resistive switching memory for brain-inspired computing 相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
纳米复合材料
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纳米技术
压阻效应
电阻随机存取存储器
计算机科学
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晶体管
电子工程
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切换时间
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弯曲
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期刊:Journal of Physics and Chemistry of Solids 作者:Manisha; Neetu Verma; Garima Poply; Tanmoy Majumder; Jugal Bori; et al 出版日期:2026-03-01 |
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