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 Impact of Gaussian Doping on SRAM Cell Stability in 14nm Junctionless FinFET Technology 14nm无结FinFET技术中高斯掺杂对SRAM单元稳定性的影响
相关领域
材料科学
兴奋剂
静态随机存取存储器
理论（学习稳定性）
工程物理
高斯分布
光电子学
纳米技术
电子工程
计算机科学
计算化学
工程类
机器学习
化学
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期刊：Silicon 作者：Shalu Kaundal; Ashwani K. Rana 出版日期：2021-10-11 |
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