| 标题 |
A fin-gate p-GaN HEMT with high threshold voltage and improved dynamic performance 具有高阈值电压和改善动态性能的鳍栅p-GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
鳍
阈值电压
材料科学
光电子学
电压
电气工程
电子工程
晶体管
工程类
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Microelectronics Journal 作者:Lingyan Shen; Xuetong Zhou; Zhen Li; Xinhong Cheng 出版日期:2024-10-19 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|