| 标题 |
A 135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV 采用精细间距混合键合和Mini-TSV的多层阵列的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit堆叠嵌入式DRAM
相关领域
德拉姆
堆积
千兆位
材料科学
带宽(计算)
堆栈(抽象数据类型)
光电子学
可靠性(半导体)
电子工程
计算机科学
功率(物理)
工程类
物理
电信
核磁共振
量子力学
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|