| 标题 |
Growth, catalysis, and faceting of α-Ga2O3 and α-(InxGa1−x)2O3 on m-plane α-Al2O3 by molecular beam epitaxy 相关领域
刻面
分子束外延
材料科学
结晶学
外延
薄膜
透射电子显微镜
相(物质)
晶体生长
纳米技术
图层(电子)
化学
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:APL Materials 作者:Martin S. Williams; Manuel Alonso‐Orts; Marco Schowalter; Alexander Karg; Sushma Raghuvansy; et al 出版日期:2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)