| 标题 |
Polishing Mechanism of CMP 4H-SiC Crystal Substrate (0001) Si Surface Based on an Alumina (Al2O3) Abrasive 基于氧化铝(Al2O3)磨料的CMP 4H-SiC晶体衬底(0001)Si表面抛光机理
相关领域
抛光
化学机械平面化
材料科学
碳化硅
磨料
泥浆
表面粗糙度
基质(水族馆)
碳化物
半导体
冶金
研磨
复合材料
Crystal(编程语言)
表面光洁度
光电子学
海洋学
计算机科学
程序设计语言
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Materials 作者:Juntao Gong; Weilei Wang; Weili Liu; Zhitang Song 出版日期:2024-01-31 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)