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 Chemical Vapor Deposition Growth of Graphene on 200 mm Ge(110)/Si Wafers and Ab Initio Analysis of Differences in Growth Mechanisms on Ge(110) and Ge(001) 石墨烯在200 mm Ge（110）/Si晶片上的化学气相沉积生长及Ge（110）和Ge（001）生长机制差异的从头计算分析
相关领域
材料科学
化学气相沉积
薄脆饼
石墨烯
锗
从头算
沉积（地质）
硅
纳米技术
光电子学
有机化学
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化学
沉积物
生物
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Fatima Akhtar; J. Da̧browski; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Mindaugas Lukosius 出版日期：2023-07-21 |
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