200-period Si/Si0.8Ge0.2 superlattice structure growth and characterization for vertical stacked DRAM

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标题	200-period Si/Si0.8Ge0.2 superlattice structure growth and characterization for vertical stacked DRAM 垂直堆叠DRAM 200周期Si/Si0.8Ge0.2超晶格结构生长与表征相关领域超晶格德拉姆句号（音乐）材料科学表征（材料科学）光电子学凝聚态物理物理纳米技术声学
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.02532...
DOI	10.1063/5.0253276 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaomeng Liu; Xiangsheng Wang; Xinhe Wang; Fan Yang; Hailing Wang; et al 出版日期：2025-06-09
求助人	nenoaowu 在 2025-09-11 11:26:00 发布自广东，悬赏 10 积分
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