| 标题 |
[求助补充材料]
 First-principles study of metal-semiconductor contacts and quantum transport simulations for 5.1-nm monolayer MoSi2N4 devices 5.1 nm单层MoSi2N4器件金属-半导体接触的第一性原理研究和量子输运模拟
相关领域
纸卷
金属
单层
半导体
材料科学
物理
纳米技术
光电子学
工程类
机械工程
冶金
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| 备注 |
仅需补充材料
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Physical review applied 作者：Zhanhai Li; Jianing Han; Shengguo Cao; Zhenhua Zhang; X.Q. Deng 出版日期：2024-05-30 |
| 求助人 | |
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