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 Stability of double gate amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors with various top gate designs 相关领域
薄膜晶体管
材料科学
栅氧化层
光电子学
晶体管
阈值电压
无定形固体
薄膜
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图层（电子）
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Te-Chih Chen; Yue Kuo; Ting‐Chang Chang; Min-Chen Chen; Hua-Mao Chen 出版日期：2017-11-01 |
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