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Pre-deposition interfacial oxidation and post-deposition interface nitridation of LPCVD TEOS used as gate dielectric on 4H-SiC
不同沟道后工艺对4 H-SiCMOS结构电气性能的影响
相关领域
材料科学 化学气相沉积 电介质 栅氧化层 随时间变化的栅氧化层击穿 栅极电介质 光电子学 沉积（地质） 氧化物 介电强度 电子工程 分析化学（期刊） 电气工程 电压 冶金 化学 晶体管 工程类 古生物学 生物 色谱法 沉积物
网址
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.535
AI链接 fraunhofer.de fraunhofer.dedoi.org
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.535 doi
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科研小白 在 2025-07-15 12:52:30 发布自湖南，悬赏 30 积分
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