3.0 kV β-Ga2O3-Based Vertical p-n Heterojunction Diodes With Helium-Implanted Edge Termination

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标题	3.0 kV β-Ga2O3-Based Vertical p-n Heterojunction Diodes With Helium-Implanted Edge Termination 3.0 kV β-Ga2O3基垂直p-n异质结二极管注入氦边缘端接相关领域异质结氦二极管光电子学 GSM演进的增强数据速率材料科学原子物理学物理工程类电信
网址	http://dx.doi.org/10.1109/TED.2025.3560277
DOI	10.1109/TED.2025.3560277 doi
求助人	摔跤的猫在 2025-06-11 01:15:43 发布自广西，悬赏 10 积分
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