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标题
Improvement of single event transients effect for a novel AlGaN/GaN HEMT with enhanced breakdown voltage
具有增强击穿电压的新型AlGaN/GaN HEMT的单事件瞬态效应的改善
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 击穿电压 光电子学 饱和电流 离子 电场 电压 阻挡层 撞击电离 电子 饱和（图论） 电极 电离 图层（电子） 晶体管 电气工程 纳米技术 化学 物理 工程类 数学 有机化学 物理化学 量子力学 组合数学
网址
https://doi.org/10.1016/j.jsamd.2024.100692
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.1016/j.jsamd.2024.100692 doi
其它 期刊：Journal of Science Advanced Materials and Devices
作者：Shuxiang Sun; Xintong Xie; Pengfei Zhang; Zhijia Zhao; Jie Wei; et al
出版日期：2024-02-19
求助人
星陨 在 2025-06-16 16:47:14 发布自山东，悬赏 10 积分
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