Formation of epitaxial Ti-Si-C Ohmic contact on 4H-SiC C face using pulsed-laser annealing

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标题	Formation of epitaxial Ti-Si-C Ohmic contact on 4H-SiC C face using pulsed-laser annealing
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/1.49871...
DOI	10.1063/1.4987136 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Milantha De Silva; Teruhisa Kawasaki; Takamichi Miyazaki; Tomoyuki Koganezawa; Satoshi Yasuno; Shin-Ichiro Kuroki 出版日期：2017-06-22
求助人	闪闪的夜云在 2026-05-18 15:36:25 发布自吉林，悬赏 10 积分
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