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 Effect of Bottom Electrode on Resistive Switching Voltages in Ag-Based Electrochemical Metallization Memory Device Ag基电化学金属化存储器中底电极对电阻开关电压的影响
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Sungjun Kim; Seongjae Cho; Byung‐Gook Park 出版日期：2016-04-30 |
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