Transient behavior in quasi-atomic layer etching of silicon dioxide and silicon nitride in fluorocarbon plasmas

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标题	Transient behavior in quasi-atomic layer etching of silicon dioxide and silicon nitride in fluorocarbon plasmas
网址	https://doi.org/10.1116/1.5049225
DOI	10.1116/1.5049225 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Chad M. Huard; Saravanapriyan Sriraman; Alex Paterson; Mark J. Kushner 出版日期：2018-10-18
求助人	Atlantis 在 2026-10-13 15:52:58 发布自上海，悬赏 10 积分
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