| 标题 |
 An Analytical Modeling for Dual Source Vertical Tunnel Field Effect Transistor 相关领域
隧道场效应晶体管
阈下斜率
电场
晶体管
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| DOI |
10.35940/ijrte.b2253.098319
doi
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| 其它 |
期刊：International Journal of Recent Technology and Engineering (IJRTE) 作者：Soniya*; Balwinder Raj; Shailendra Singh; Girish Wadhwa 出版日期：2019-10-04 |
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