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 Integration of top-side low-temperature diamond on AlGaN/GaN RF HEMT for device-level cooling 用于器件级冷却的AlGaN/GaN射频HEMT上顶侧低温金刚石的集成
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Rohith Soman; Mohamadali Malakoutian; K. Woo; Jeong‐Kyu Kim; Thomas Andres Rodriguez; et al 出版日期：2025-05-26 |
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