Defect characterization and charge transport measurements in high-resolution Ni/n-4H-SiC Schottky barrier radiation detectors fabricated on 250 μm epitaxial layers

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标题	Defect characterization and charge transport measurements in high-resolution Ni/n-4H-SiC Schottky barrier radiation detectors fabricated on 250 μm epitaxial layers 250 μ m外延层高分辨率Ni/n-4H-SiC肖特基势垒辐射探测器的缺陷表征和电荷输运测量
网址	https://doi.org/10.1063/5.0049218
DOI	10.1063/5.0049218 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Joshua W. Kleppinger; Sandeep K. Chaudhuri; OmerFaruk Karadavut; Krishna C. Mandal 出版日期：2021-06-25
求助人	QIMU99 在 2025-09-30 10:49:30 发布自浙江，悬赏 10 积分
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