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 Study on mechanism of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing 相关领域
材料科学
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Ruobing Lin; Wang Xin-Juan; Feng Qian; Chong Wang; Jincheng Zhang; et al 出版日期：2008-01-01 |
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