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[高分]
 Simulation Study on Dependence of Channel Potential Self-Boosting on Device Scale and Doping Concentration in 2-D and 3-D NAND-Type Flash Memory Devices 相关领域
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Seongjae Cho; Jung Hoon Lee; Yoon Kim; Jang-Gn Yun; Hyungcheol Shin; et al 出版日期：2010-01-01 |
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