| 标题 |
A high-performance logic inverter achieved using mixed-dimensional WSe2/n+-Si and MoS2/p+-Si junction field-effect transistors 用混合维WSe2/n+-Si和MoS2/p+-Si结场效应晶体管实现的高性能逻辑反相器
相关领域
材料科学
逆变器
晶体管
场效应晶体管
光电子学
领域(数学)
逻辑门
电气工程
电压
工程类
数学
纯数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Materials Chemistry C 作者:Yoonsok Kim; Tae‐Young Kim; Wonchae Jeong; Mun Seok Jeong; Eun Kyu Kim 出版日期:2023-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|